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高溫反偏試驗(yàn)（High TemperatureReverse Bias）,簡(jiǎn)稱HTRB，是一種用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下耐受反向偏壓能力的重要測(cè)試方法。這種測(cè)試通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二極管（DIODE）、雙極型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）以及GaN等寬禁帶半導(dǎo)體器件。HTRB測(cè)試的目的是模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的高溫和高電壓應(yīng)力，以評(píng)估其長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。
在HTRB測(cè)試中，器件會(huì)被施加一個(gè)持續(xù)的反向電壓，并且這個(gè)電壓會(huì)高于器件正常工作時(shí)的電壓水平。同時(shí)，器件的溫度會(huì)被控制在高于其額定工作溫度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的溫度。這種高溫條件可以加速器件的老化過(guò)程，使得測(cè)試在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)完成，從而更快地評(píng)估器件的長(zhǎng)期性能。
HTRB測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)包括：
1. 測(cè)試電壓：根據(jù)器件的類型和等級(jí)，施加的反向電壓會(huì)有所不同。
2. 測(cè)試溫度：高溫條件通常設(shè)置在器件的額定工作溫度之上，以加速老化過(guò)程。
3. 時(shí)間：HTRB測(cè)試可以持續(xù)數(shù)小時(shí)、數(shù)天甚至數(shù)周，以確保足夠的時(shí)間來(lái)評(píng)估器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
4. 漏電流監(jiān)控：在整個(gè)測(cè)試期間，漏電流會(huì)被連續(xù)監(jiān)控，以確定其是否隨時(shí)間增加而超出可接受的水平。
5. 失效判定：如果漏電流超過(guò)預(yù)定的失敗閾值，或者器件出現(xiàn)其他明顯的性能退化，測(cè)試將被判定失敗。
標(biāo)準(zhǔn)符合性 | ||
本系統(tǒng)試驗(yàn)線路及功能符并滿足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)要求。 | ||
系統(tǒng)適用性 | ||
系統(tǒng)能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管/模塊等半導(dǎo)體分立器件的高溫偏置試驗(yàn)(HTRB/HTGB)和老化篩選。 該系統(tǒng)一體化程度高，結(jié)構(gòu)緊湊，內(nèi)部試驗(yàn)通道與通道間隔增大，適用于辦公樓或場(chǎng)地較為緊張的實(shí)驗(yàn)室內(nèi)使用。 | ||
試驗(yàn)區(qū)域和試驗(yàn)通道 | ||
系統(tǒng)分區(qū) | 整機(jī)每個(gè)電源試驗(yàn)區(qū)均可試驗(yàn)不同批次不同輸入電壓的產(chǎn)品； | |
單區(qū)控制 | 每個(gè)電源試驗(yàn)區(qū)可以單獨(dú)控制啟動(dòng)、暫停、繼續(xù)、停止運(yùn)行，互不干擾； | |
設(shè)計(jì)方式 | 系統(tǒng)采用一一對(duì)應(yīng)控制方式設(shè)計(jì)，每個(gè)試驗(yàn)通道老化試驗(yàn)板對(duì)應(yīng)一塊ARM芯片控制的控制檢測(cè)板。任意單元的故障不影響其它正常試驗(yàn)單元的工作； | |
容量變化 | 單板檢測(cè)工位數(shù)為40工位，單工位根據(jù)用戶實(shí)際使用需要可并聯(lián)1-3個(gè)器件進(jìn)行多倍容量擴(kuò)容，擴(kuò)容后，并聯(lián)工位檢測(cè)總漏電流； 由于諸多不確定性比如socket的尺寸，單板老化的實(shí)際安裝工位需在實(shí)際設(shè)計(jì)生產(chǎn)過(guò)程中確定。 | |
高溫試驗(yàn)箱 | ||
溫度范圍 | RT~200℃ | |
溫度偏差 | ≤±1.5℃（空載） | |
溫度均勻性 | ≤±2℃（空載，有效試驗(yàn)空間內(nèi)） | |
溫度波動(dòng)性 | ≤±0.5℃ | |
溫度過(guò)沖 | ≤3℃ | |
控制方式 | 上位機(jī)程控＋面板手動(dòng)控制 | |
溫度記錄 | 計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)檢測(cè)、記錄試驗(yàn)箱溫度，描述全過(guò)程試驗(yàn)溫度曲線； | |
保護(hù)功能 | 超溫保護(hù)、報(bào)警裝置和漏電保護(hù)裝置；超溫報(bào)警時(shí)，系統(tǒng)應(yīng)能切斷試驗(yàn) 電源及高溫試驗(yàn)箱的供電電源； | |
老化試驗(yàn)電源 | ||
配置 | 系統(tǒng)標(biāo)為每個(gè)電源試驗(yàn)區(qū)配置一臺(tái)1200W高低壓試驗(yàn)電源，5V~300V電源，8塊板/40顆 | |
電源分辨率及 輸出精度 | 電源電壓量程≤20V | 分辨率為0.001V；電壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB |
電源電壓量程≤200V | 分辨率為0.01V； 壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電源電壓量程≤2000V | 分辨率為0.1V； 輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電壓檢測(cè) | 電壓檢測(cè)范圍 | 0.0～1000V |
電壓檢測(cè)分辨率 | 0.1V | |
電壓檢測(cè)精度 | ±（0.5% rdg.+ 1LSB ) | |
反向電流檢測(cè) | 反向電流檢測(cè)范圍 | 0.1μA～50mA |
反向電流計(jì)量起始點(diǎn) | 0.5μA | |
反向電流分辨率 | 0.1μA | |
反向電流檢測(cè)精度 | ±（1% rdg.+0.1）μA | |
在線客服客服一高溫反偏試驗(yàn)（High TemperatureReverse Bias）,簡(jiǎn)稱HTRB，是一種用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下耐受反向偏壓能力的重要測(cè)試方法。這種測(cè)試通常用于分立器件，如MOSFET、IGBT、二極管（DIODE）、雙極型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）以及GaN等寬禁帶半導(dǎo)體器件。HTRB測(cè)試的目的是模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的高溫和高電壓應(yīng)力，以評(píng)估其長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。
在HTRB測(cè)試中，器件會(huì)被施加一個(gè)持續(xù)的反向電壓，并且這個(gè)電壓會(huì)高于器件正常工作時(shí)的電壓水平。同時(shí)，器件的溫度會(huì)被控制在高于其額定工作溫度的水平，通常是150°C、175°C或其他更高的溫度。這種高溫條件可以加速器件的老化過(guò)程，使得測(cè)試在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)完成，從而更快地評(píng)估器件的長(zhǎng)期性能。
HTRB測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)包括：
1. 測(cè)試電壓：根據(jù)器件的類型和等級(jí)，施加的反向電壓會(huì)有所不同。
2. 測(cè)試溫度：高溫條件通常設(shè)置在器件的額定工作溫度之上，以加速老化過(guò)程。
3. 時(shí)間：HTRB測(cè)試可以持續(xù)數(shù)小時(shí)、數(shù)天甚至數(shù)周，以確保足夠的時(shí)間來(lái)評(píng)估器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
4. 漏電流監(jiān)控：在整個(gè)測(cè)試期間，漏電流會(huì)被連續(xù)監(jiān)控，以確定其是否隨時(shí)間增加而超出可接受的水平。
5. 失效判定：如果漏電流超過(guò)預(yù)定的失敗閾值，或者器件出現(xiàn)其他明顯的性能退化，測(cè)試將被判定失敗。
標(biāo)準(zhǔn)符合性 | ||
本系統(tǒng)試驗(yàn)線路及功能符并滿足 MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)要求。 | ||
系統(tǒng)適用性 | ||
系統(tǒng)能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管/模塊等半導(dǎo)體分立器件的高溫偏置試驗(yàn)(HTRB/HTGB)和老化篩選。 該系統(tǒng)一體化程度高，結(jié)構(gòu)緊湊，內(nèi)部試驗(yàn)通道與通道間隔增大，適用于辦公樓或場(chǎng)地較為緊張的實(shí)驗(yàn)室內(nèi)使用。 | ||
試驗(yàn)區(qū)域和試驗(yàn)通道 | ||
系統(tǒng)分區(qū) | 整機(jī)每個(gè)電源試驗(yàn)區(qū)均可試驗(yàn)不同批次不同輸入電壓的產(chǎn)品； | |
單區(qū)控制 | 每個(gè)電源試驗(yàn)區(qū)可以單獨(dú)控制啟動(dòng)、暫停、繼續(xù)、停止運(yùn)行，互不干擾； | |
設(shè)計(jì)方式 | 系統(tǒng)采用一一對(duì)應(yīng)控制方式設(shè)計(jì)，每個(gè)試驗(yàn)通道老化試驗(yàn)板對(duì)應(yīng)一塊ARM芯片控制的控制檢測(cè)板。任意單元的故障不影響其它正常試驗(yàn)單元的工作； | |
容量變化 | 單板檢測(cè)工位數(shù)為40工位，單工位根據(jù)用戶實(shí)際使用需要可并聯(lián)1-3個(gè)器件進(jìn)行多倍容量擴(kuò)容，擴(kuò)容后，并聯(lián)工位檢測(cè)總漏電流； 由于諸多不確定性比如socket的尺寸，單板老化的實(shí)際安裝工位需在實(shí)際設(shè)計(jì)生產(chǎn)過(guò)程中確定。 | |
高溫試驗(yàn)箱 | ||
溫度范圍 | RT~200℃ | |
溫度偏差 | ≤±1.5℃（空載） | |
溫度均勻性 | ≤±2℃（空載，有效試驗(yàn)空間內(nèi)） | |
溫度波動(dòng)性 | ≤±0.5℃ | |
溫度過(guò)沖 | ≤3℃ | |
控制方式 | 上位機(jī)程控＋面板手動(dòng)控制 | |
溫度記錄 | 計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)檢測(cè)、記錄試驗(yàn)箱溫度，描述全過(guò)程試驗(yàn)溫度曲線； | |
保護(hù)功能 | 超溫保護(hù)、報(bào)警裝置和漏電保護(hù)裝置；超溫報(bào)警時(shí)，系統(tǒng)應(yīng)能切斷試驗(yàn) 電源及高溫試驗(yàn)箱的供電電源； | |
老化試驗(yàn)電源 | ||
配置 | 系統(tǒng)標(biāo)為每個(gè)電源試驗(yàn)區(qū)配置一臺(tái)1200W高低壓試驗(yàn)電源，5V~300V電源，8塊板/40顆 | |
電源分辨率及 輸出精度 | 電源電壓量程≤20V | 分辨率為0.001V；電壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB |
電源電壓量程≤200V | 分辨率為0.01V； 壓輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電源電壓量程≤2000V | 分辨率為0.1V； 輸出顯示精度≤0.1%+2LSB | |
電壓檢測(cè) | 電壓檢測(cè)范圍 | 0.0～1000V |
電壓檢測(cè)分辨率 | 0.1V | |
電壓檢測(cè)精度 | ±（0.5% rdg.+ 1LSB ) | |
反向電流檢測(cè) | 反向電流檢測(cè)范圍 | 0.1μA～50mA |
反向電流計(jì)量起始點(diǎn) | 0.5μA | |
反向電流分辨率 | 0.1μA | |
反向電流檢測(cè)精度 | ±（1% rdg.+0.1）μA | |
